Вальдемар Навроцкий
В статье упоминаются электрическое сопротивление (проводимость) и тепловое электрическое явление золотых и полупроводниковых нанопроводов. Мы проанализировали и измерили нанопровода, созданные из золота, меди, олова, Si и элементов в результате их использования для производства интегрированных электронных устройств. Электроэлектрическое явление GE и тепловое электрическое явление GT наноструктуры описывают результат переноса лептонов в нанопроводах. Электроэлектрическое явление деления в нанопроводах было определено в единицах G0 = 2e2 /h = (12,9)-1 до 5 квантов электрического явления в соответствии с проектом Ландауэра [1]. В статье мы стремимся представить наши измерения электрического электрического явления деления в нанопроводах Au при температуре [2]. Тепловое электрическое явление деления учитывается при аналогичном подходе, как и электрическое явление. В одномерных системах ar сформированные полупроводниковые каналы.